晶迈中科氧化铪靶材HfO2

晶迈中科科研实验氧化铪靶材HfO2磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

      氧化铪（HfO2）常温常压下为白色固体，熔点：2758℃，沸点：5400℃，密度：9.68g

/cm³，难溶于水，常温常压下稳定，避免与酸接触；当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧

化铪；也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。用于光谱分析及催化剂体系，耐熔材料；是

一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关

注，由于它可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的

栅极绝缘层二氧化硅(SiO2)，以解决目前MOSFET中传统SiO₂/Si结构的发展的尺寸极限问题。

产品参数

中文名 二氧化铪        化学式 HfO2     沸点 5400℃

分子量 210.49           熔点 2758℃      密 度 9.68g/cm3

纯度 99.99%

支持靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！ 

服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量，售后无忧！

产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装

适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 

质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。 

加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

      陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生靶裂情况，绑定背靶后，可提高化合物靶材的导热性能，提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！

       我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊厚度约为0.2mm，高纯无氧铜作为背靶。

       注意：高纯铟的熔点约为156℃，靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化！绑定背靶不影响靶材的正常使用！

       建议：陶瓷脆性靶材、烧结靶材，高功率下溅射易碎，建议溅射功率不超过3W/cm2。